以前國內(nèi)普遍使用的補償裝置是利用機械式投切電容器進行無功補償，采用這種開關(guān)投切電容器會存在以下缺陷：

(1)開關(guān)投切速度較慢：采用機械式投切電容器，開關(guān)動作速度慢,不能快速跟蹤港口裝卸設(shè)備無功電流的變化動態(tài)調(diào)整補償容量，開關(guān)來不及動作和切換，容易造成過補或欠補，很難起到良好的補償效果。

(2)不能頻繁投切：機械式投切開關(guān)的固有缺陷決定了不能頻繁動作，頻繁投切經(jīng)常使開關(guān)燒毀，嚴(yán)重時造成電容器死投，這樣在低負載的情況下會形成無功功率倒送，還有可能引起末端電壓過高而燒毀用電設(shè)備，引發(fā)電氣事故。而且重復(fù)投切需要放電過程，必須保證幾分鐘到數(shù)十分鐘的時間間隔。這種缺陷決定了靜態(tài)補償裝置不能跟蹤快速變化負荷而實現(xiàn)動態(tài)補償。

(3)產(chǎn)生沖擊電流：機械式投切電容器的投切時刻不能準(zhǔn)確控制，開關(guān)閉合時有很大沖擊電流，對電網(wǎng)產(chǎn)生沖擊，影響了裝置自身使用壽命和正常工作。嚴(yán)重時產(chǎn)生過電壓和過電流降低供電質(zhì)量和干擾弱電設(shè)備正常運行，且可能損壞設(shè)備。

因此，靜態(tài)補償裝置無法滿足對補償裝置快速響應(yīng)、動態(tài)跟蹤補償?shù)囊螅瑹o法避免欠補或無功倒送，已不適合電能質(zhì)量控制的要求。

STT標(biāo)準(zhǔn)型可控硅開關(guān)技術(shù)源自德國，我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進制造工藝的基礎(chǔ)上，研制出了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護電路，智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，真正實現(xiàn)投切無涌流，跟隨速度快，有效補償沖擊性負荷，平均響應(yīng)時間小于15ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。